Категория - Схемотехника, материалов в категории - 28

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ (технический университет) Кафедра Электроники и электротехники Доклад Тема: “ Усилительные каскады в области высших частот” Студент: Андриатис Ю.А. группа АП-52 Преподаватель: Ушаков В.Н. МОСКВА 1999 Усилительный каскад на биполярном транзисторе. EK R1 RK РИС 1. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЬНОГО RC - КАСКАДА Cк НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ ВЫХОД IBX RH Uвых ВХОД CЭ R2 RЭ IBЫX Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн. Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области высоких частот нельзя. РИС 2.

Национальный аэрокосмический университет им. Н. Е. Жуковского «ХАИ» кафедра 301 Отчет по лабораторной работе № 1 по курсу «Проектирование информационно – вычислительных комплексов» Выполнили студенты группы 351 Хорик С. А. Ярушевский М. Е. Проверил ст. преподаватель кафедры 301 Джулгаков В.Г. Харьков’2000 Распределение ресурсов памяти R0, R1 – адреса исходного и результирующего числа соответственно. Исходное число двухбайтное. Регистры R2 и R3 хранят старший и младший байты исходного числа. F0 (psw.5) свободный бит, будем использовать для хранения знака S. Счетчик сдвигов j. Для него используем регистр R4. этот же регистр используем для смещенного порядка е и истинного порядка Р. Поскольку мантисса результата формируется путем сдвига исходного числа влево, то регистры R2, R3 используем для размещения мантиссы результатов. Лабораторная работа №1а Преобразование целого числа в вещественное Преобразование целого числа в вещественное реализуется по формуле: .

Узлы принципиальной схемы 6.1. Микросхема КР1008ВЖ18 Основные характеристики : Детектирование всех16 стандартных DTMF сигналов; Низкая потребляемая мощность: 15мВт; Один источник питания: 5В5%; Используется стандартный телевизионный кварцевый резонатор с частотой 3,579545 МГц; Режим понижения потребляемой мощности в неактивном состоянии; Низкая вероятность ошибки декодирования 1/10000; Основные области применения ИС КР1008ВЖ18 - Приемные устройства АТС; Системы передачи сигнала поискового вызова; Дистанционные системы управления; Системы кредитных карт; Пейджеры; Автоответчики; Бытовые автоматические системы; Мобильные радиостанции; Рис. . ИС КР1008ВЖ18. IIN Вход запрещения. “Высокий” уровень на этом входе запрещает декодирование DTMF сигнала. PDN Вход установки режима понижения потребляемой мощности. Понижение потребляемой мощности происходит при “высоком” уровне на этом входе. OSC1 Тактовый вход.

ОГЛАВЛЕНИЕ "1-3" ВВЕДЕНИЕ 1. ОПИСАНИЕ ПРИНЦИПА ДЕЙСТВИЯ ПРОЕКТИРУЕМОГО БМР 3 2. РАСЧЕТ БСКОНТАКТНОГО МАГНИТНОГО РЕЛЕ 5 2.1. Расчет удельного сопротивления материала провода при рабочей температуре БМР. 5 2.2. Выбор материала магнитопровода 5 2.3. Определение размеров магнитопровода и предварительный расчет обмоток 6 2.4. Неизвестные из ряда электрических параметров нагрузки 7 2.5. Расчет параметров рабочей цепи БМР 7 2.6. Расчет коэффициента внешней ОС 8 2.7. Расчет параметров цепи ОС 8 2.8. Расчет параметров цепи входного сигнала 9 2.9. Расчет обмотки смещения 9 2.10. Расчет диаметров проводов обмоток 10 2.11. Конструктивный расчет БМР 11 2.12. Температурный расчет БМР 14 2.13. Уточнение параметров БМР 15 2.14. Построение характеристики управления БМР 15 2.15. Определение параметров БМР. 16 2.16. РАСЧЕТ И ВЫБОР ВСПОМОГАТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СХЕМЫ БМР 18 3.

ЛЕКЦИЯ 2 Электропроводность полупроводников Электрический ток – это перенос электрических зарядов. Известно, что электрические заряды присущи элементарным частицам. Причём бывают положительные и отрицательные заряды. Так, атомы состоят из положительно заряженных ядер и отрицательно заряженных электронов. Самый малый заряд у электрона. Электроны притягиваются к ядру. У ядра атома заряд больше, но он кратен заряду электрона. В целом атомы нейтральны, так как число электронов равно заряду ядра. Но иногда электрон может быть оторван от атома. Обычно это легко делается при высоких температурах. Например, в радиолампе разогретый катод испускает электроны (котрые в 2000 раз легче атомов), и они участвуют в переносе тока от катода к аноду. В твёрдых телах ситуация более сложная, так как электроны не свободны. Известно, что в отдельном атоме электрон находится в поле притяжения положительного заряда. Это можно представить себе как потенциальную яму, см. рис. слева. На рис.

Внимание, Студент!!! При синтезе ТУ в таблицах внутренних состояний позднее была обнаружена ошибка - два поля были заполнены неверно! Советую вникнуть во всё самому и исправить со всеми вытекающими последствиями(в результате могут измениться уравнения и схема регистра). Мне уже просто лень исправлять т.к. всё равно работу сдал ( Содержание: Задание на курсовое проектирование………………………………………………стр.2 Проектирование синхронного сдвигающего регистра на JK-триггере………….

План-график на выполнение дипломного проекта студента группы ЭТ-52 Кузнеченкова А.Ю. тема:"Разработка логической схемы управления двустворчатых ворот судоходного шлюза". № Содержание Объ- ем Кол-во Чер-ей Сроки выполнения 1 Введение 10 07.04.99 2 Описание управляемого объекта 15 1 17.04.99 3 Описание существующих схем управления 15 1 24.04.99 4 Синтез логического автомата 15 2 30.04.99 5 Преобразование контактной схемы управления в бесконтактную 20 1 12.05.99 6 Датчики информации и схемы сопряжения управляемого объекта с логической системой управления 15 2 22.05.99 7 Экономическое обоснование 5 29.05.99 8 Охрана труда 5 05.06.99 Дата выдачи: 01.04.99 Заведующий кафедрой: Францев Р. Э. Руководитель: Ковалев Ю. Н. Студент: Кузнеченков А. Ю. СОДЕРЖАНИЕ. Гл. Стр. 1. ВВЕДЕНИЕ 1.1. Общие сведения об электрооборудовании водных путей. 1.2. Состав и назначение механического оборудования гидротехнических сооружений. 1.3.

С О Д Е Р Ж А Н И Е Ч а с т ь 1 1.1. Упрощение логических выражений. 1.2. Формальная схема устройства. 1.3. Обоснование выбора серии ИМС. 1.4. Выбор микросхем. 1.4.1. Логический элемент (ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ(. 1.4.2. Логический элемент (2ИЛИ ( с мощным открытым коллекторным выходом. 1.4.3. Логический элемент (2И( с открытым коллектором. 1.4.4. Логический элемент (2И( с повышенной нагрузочной способностью. 1.4.5. Логический элемент (НЕ( 1.5. Электрическая принципиальная схема ЦУ. 1.6. Расчет потребляемой мощности и времени задержки. 1.6.1. Потребляемая мощность. Время задержки распространения. Ч а с т ь 2 2.1. Расчет базового элемента цифровой схемы. 2.1.1. Комбинация: Х1 = Х2 =Х3 = Х4 = (1(. 2.1.2. Комбинация: Х1 = Х2 =Х3 = Х4 = (0(. 2.1.3. Любая иная комбинация. 2.2. Таблица состояний логических элементов схемы. 2.3. Таблица истинности. 2.4. Расчет потенциалов в точках. 2.4.1. Комбинация 0000. 2.4.2. Комбинация 1111. 2.4.3. Любая иная комбинация. 2.5. Расчет токов. 2.5.1 Комбинация 0000.

Министерство образования Российской Федерации Институт переподготовки кадров Уральского государственного технического университета Кафедра микропроцессорной техники Курсовой проект ТЕМА: Канал последовательной связи на основе МС 8251 Пояснительная записка Руководитель доц., к.т.н. И.Е. Мясников Слушатель гр. СП-923 А.С. 2001г. Содержание 1. Введение (постановка задачи) 2. Состав контроллера последовательного интерфейса Регистр буфера передатчика (THR). Регистр буфера приёмки (RBR). Регистр буфера младшего байта делителя (Divisor Latch LSB). Регистр буфера старшего байта делителя (Divisor Latch MSB). Регистр разрешения прерываний (IER). Регистр идентификации прерывания (IIR). Регистр управления линией (LCR). Регистр управления модемом (MCR). Не используемый регистр (Scratch Register). 3.Последовательная передача данных 4. Протокол последовательной связи. 5. Общие сведения о интерфейсе RS–232С 6. Таблица 1.5 Функции сигнальных линий интерфейса RS–232C. 7. Таблица 1.

СОДЕРЖАНИЕ Введение………………………………………………………………………….2 Исходные данные……………………………………………………………….

Московский Энергетический Институт (технический университет) кафедра ЭИ Курсовая работа По теме: ”Измерение потерь в дросселе.” Группа: ТФ-13-98 Студент: Поярков М.Ю. Научный руководитель: Комаров Е.В. Москва 2002г. Содержание: 1. Техническое задание____________________________________________3 2. Введение и цель работы__________________________________________3 3. Анализ технического задания_____________________________________4 4. Реализация технического задания. Разработка структурной схемы ___________________________________________________________7 5. Анализ элементов структурной схемы. Расчет узлов схемы Измерение мощности потерь _____________________________________9 5.1 Блок управления драйвером________________________________9 5.2 Управление ключами с помощью драйвера___________________10 5.2.1 Ключи ___________________________________________12 5.3 Измерительная схема _____________________________________14 5.3.

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГЕОДЕЗИИ И КАРТОГРАФИИ КУРСОВАЯ РАБОТА ПО СХЕМОТЕХНИКЕ ТЕМА: «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ» ВЫПОЛНИЛИ СТУДЕНТЫ ФПК 3-2 Мазилина Е.А. Мазилин С.В. Москва 2001г. ПЛАН КУРСОВОЙ РАБОТЫ. ВВЕДЕНИЕ. ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ. ОСНОВНЫЕ ТИПЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры. ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1. ВВЕДЕНИЕ Стремительное развитие электроники и вычислительной техники оказалось предпосылкой для широкой автоматизации самых разнообразных процессов в промышленности, в научных исследованиях, в быту. Реализация этой предпосылки в значительной мере определялась возможностями устройств для получения информации о регулируемом параметре или процессе, т.е. возможностями датчиков.

"1-3" 1. Введение 2 2. Особенности МПС 3 3. Организация МПС. 4 3.1 Блок центрального процессора. 4 3.2 Центральная шина. 10 3.3 Модуль памяти. 10 3.4 Подключение УВВ 12 4. Заключение. 16 5. Литература. 17 Введение Эта микропроцессорная система выполнена на комплекте КР580. Микропроцессорный комплект серии КР580 содержит набор БИС для построения микропроцессорных систем относительно невысокого быстродействия, работающих в с тактовой частотой до 2,5 МГц. В основном на комплекте данной серии строятся микропроцессорные системы (МПС), решающие задачи, связанные с управлением разнообразными технологическими процессами. В этом комплекте предусмотрена БИС центрального процессора - КР580ВМ80А, содержащая в одной микросхеме операционное и управляющее устройство. Это существенно упрощает построение МПС. Кроме того, из соображений упрощения программирования для управления микросхемами МПС применяется фиксированный набор команд. Микропроцессор КР580ВМ80А был выпущен в1974 году.

1 Структура предприятия УППО Практика проводилась на базе предприятия УППО. Предприятие занимается производством РЭО для самолетов гражданской и военной авиации. Кроме того, производятся товары народного потребления (электробритвы «Агидель») и комплектующие материалы для нефтяной промышленности (заглушки, вентиля и др.) Краткая структура предприятия представлена следующей блок-схемой. Ниже приведена расшифровка аббревиатур отделов.